FQD3N30TF-VB
IC
TO-252
可供量大可议
FQD3N30TF-VB
台积电流片， 长电科技封装； TO252； N—Channel沟道； 650V； 4A； RDS(ON)=2200(mΩ)@VGS=10V； VGS=±30V； Vth=3.5V； 采用Planar技术
品牌
VBsemi
封装
TO-252
库存
5
货期
现货
FQD3N30TF-VB参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 5 |
FQD3N30TF-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； TO252； N—Channel沟道； 650V； 4A； RDS(ON)=2200(mΩ)@VGS=10V； VGS=±30V； Vth=3.5V； 采用Planar技术
FQD3N30TF-VB特性
暂无产品特性。
FQD3N30TF-VB应用领域
暂无应用领域。