FQD30N06TM

此 N 沟道增强型功率 MOSFET 使用平面条纹和 DMOS 专属工艺生产。 此先进 MOSFET 工艺适用于降低导通电阻， 提供卓越的开关性能以及高雪崩能量强度。 此类器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。