FQD2P40TM
IC
TO-252AA
可供量大可议
FQD2P40TM
此 P 沟道增强型功率 MOSFET 是使用平面条纹和 DMOS 专属技术生产的。 此先进 MOSFET 技术特别适用于降低导通电阻, 提供出色的开关性能以及高雪崩能量强度。 此类器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。
品牌
onsemi
封装
TO-252AA
库存
58
货期
现货
FQD2P40TM参数
| 封装 | TO-252AA |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 58 |
FQD2P40TM概述
此 P 沟道增强型功率 MOSFET 是使用平面条纹和 DMOS 专属技术生产的。 此先进 MOSFET 技术特别适用于降低导通电阻, 提供出色的开关性能以及高雪崩能量强度。 此类器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。
FQD2P40TM特性
暂无产品特性。
FQD2P40TM应用领域
暂无应用领域。
