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FQD2P40TM
IC

TO-252AA

可供量大可议

FQD2P40TM

此 P 沟道增强型功率 MOSFET 是使用平面条纹和 DMOS 专属技术生产的。 此先进 MOSFET 技术特别适用于降低导通电阻, 提供出色的开关性能以及高雪崩能量强度。 此类器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。

品牌

onsemi

封装

TO-252AA

库存

58

货期

现货

FQD2P40TM参数

封装TO-252AA
品牌onsemi(安森美)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存58

FQD2P40TM概述

此 P 沟道增强型功率 MOSFET 是使用平面条纹和 DMOS 专属技术生产的。 此先进 MOSFET 技术特别适用于降低导通电阻, 提供出色的开关性能以及高雪崩能量强度。 此类器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。

FQD2P40TM特性

暂无产品特性。

FQD2P40TM应用领域

暂无应用领域。

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