FQD2N60TF-VB
IC
TO-252
可供量大可议
FQD2N60TF-VB
台积电流片, 长电科技封装; 是一款单极N型场效应晶体管, 采用Plannar技术制造, 适用于各种电源和电路模块。 TO252; N—Channel沟道, 650V; 2A; RDS(ON)=3800mΩ@VGS=10V, VGS=±30V; Vth=2~4V
品牌
VBsemi
封装
TO-252
库存
200
货期
现货
FQD2N60TF-VB参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 200 |
FQD2N60TF-VB概述
台积电流片, 长电科技封装; 是一款单极N型场效应晶体管, 采用Plannar技术制造, 适用于各种电源和电路模块。 TO252; N—Channel沟道, 650V; 2A; RDS(ON)=3800mΩ@VGS=10V, VGS=±30V; Vth=2~4V
FQD2N60TF-VB特性
暂无产品特性。
FQD2N60TF-VB应用领域
暂无应用领域。
