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FQD2N60SE
IC

TO-252

可供量大可议

FQD2N60SE

N-Channel沟道, BVDSS=650V, ID=2A， RDS(on):4.8Ω(Max)@VG=10V

品牌

KTP

封装

TO-252

库存

2,075

货期

现货

产品参数概述特性应用领域

FQD2N60SE参数

封装TO-252
品牌KTP(科泰普)
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存2075

FQD2N60SE概述

N-Channel沟道, BVDSS=650V, ID=2A， RDS(on):4.8Ω(Max)@VG=10V

FQD2N60SE特性

暂无产品特性。

FQD2N60SE应用领域

暂无应用领域。

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