FQD2N60CTF-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
FQD2N60CTF-HXY
本款N沟道场效应管（MOSFET）具有650V的漏源击穿电压（VDSS）， 可承载最大2A的连续漏极电流（ID）， 导通电阻（RDON）为4200mΩ。 该参数组合使其适用于中功率开关电路、电源转换及小型电子设备中的高频整流和控制场景， 具备良好的热稳定性和响应速度， 适合用于各类需要高效能、小体积功率器件的设计中。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
155
货期
现货
FQD2N60CTF-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 155 |
FQD2N60CTF-HXY概述
本款N沟道场效应管（MOSFET）具有650V的漏源击穿电压（VDSS）， 可承载最大2A的连续漏极电流（ID）， 导通电阻（RDON）为4200mΩ。 该参数组合使其适用于中功率开关电路、电源转换及小型电子设备中的高频整流和控制场景， 具备良好的热稳定性和响应速度， 适合用于各类需要高效能、小体积功率器件的设计中。
FQD2N60CTF-HXY特性
暂无产品特性。
FQD2N60CTF-HXY应用领域
暂无应用领域。