FQD20N06(UMW)
IC
TO-252
可供量大可议
FQD20N06(UMW)
特性：先进的MOSFET技术， 专门设计用于降低导通电阻。 提供卓越的开关性能。 具有高雪崩能量强度。 VDS(V) = 60V。 ID = 30A（VGS = 10V）。 RDS(ON) < 25mΩ（VGS = 10V）。 应用：开关模式电源。 音频放大器
品牌
UMW
封装
TO-252
库存
2,475
货期
现货
FQD20N06(UMW)参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | UMW(友台半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2475 |
FQD20N06(UMW)概述
特性：先进的MOSFET技术， 专门设计用于降低导通电阻。 提供卓越的开关性能。 具有高雪崩能量强度。 VDS(V) = 60V。 ID = 30A（VGS = 10V）。 RDS(ON) < 25mΩ（VGS = 10V）。 应用：开关模式电源。 音频放大器
FQD20N06(UMW)特性
暂无产品特性。
FQD20N06(UMW)应用领域
暂无应用领域。