FQD19N10TM-HXY

本款N沟道场效应管（MOSFET）具备20A连续漏极电流（ID）和100V漏源耐压（VDSS）， 满足中高功率应用需求。 导通电阻（RDON）典型值为80mΩ， 有助于减少导通损耗， 提高整体能效。 器件采用通用封装形式， 具备良好的散热性能与可靠性， 适用于电源转换、开关控制、电机驱动及照明设备等多种电子系统， 为电路设计提供高效且稳定的技术支持。