FQD19N10TM

此N沟道增强型功率MOSFET采用专有平面条纹和DMOS技术生产。 这种先进的MOSFET技术经过专门设计， 可降低导通电阻， 并提供出色的开关性能和高雪崩能量强度。 这些器件适用于开关电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。