FQD19N10LTM(UMW)
IC
TO-252
可供量大可议
FQD19N10LTM(UMW)
特性：采用专有平面条纹和 DMOS 技术生产。 VDS(V) = 100V。 ID = 15.6A(VGS = 10V)。 RDS(Ou)< 100mΩ (VGS = 10V)。 RDS(Ou)< 110mΩ (VGS = 5V)。 低栅极电荷（典型值 14 nC）。 低 Crss（典型值 35 pF）
品牌
UMW
封装
TO-252
库存
920
货期
现货
FQD19N10LTM(UMW)参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | UMW(友台半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 920 |
FQD19N10LTM(UMW)概述
特性：采用专有平面条纹和 DMOS 技术生产。 VDS(V) = 100V。 ID = 15.6A(VGS = 10V)。 RDS(Ou)< 100mΩ (VGS = 10V)。 RDS(Ou)< 110mΩ (VGS = 5V)。 低栅极电荷（典型值 14 nC）。 低 Crss（典型值 35 pF）
FQD19N10LTM(UMW)特性
暂无产品特性。
FQD19N10LTM(UMW)应用领域
暂无应用领域。