FQD19N10LTM
IC
TO-252
可供量大可议
FQD19N10LTM
N—Channel沟道, 󗙻 򏟋 򏟋 V, 󗙻 򑵼 A, RDS(ON), 󗙻 󗙻 𢺫 mΩ@󗙻 򏟋 V, 󗙻 򘞟 󗙻 mΩ@󺺆 񄂹 𢺫 V, 򘞟 򏟋 Vgs(±V)； 󗙻 񄂹 𮧂 Vth(V) 封装：TO򘞟 𢺫 򘞟
品牌
VBsemi
封装
TO-252
库存
100
货期
现货
FQD19N10LTM参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi/微碧半导体 |
| 批次 | 22+ |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 100 |
| MOQ / SPQ | 5 / 1 |
FQD19N10LTM概述
N—Channel沟道, 󗙻 򏟋 򏟋 V, 󗙻 򑵼 A, RDS(ON), 󗙻 󗙻 𢺫 mΩ@󗙻 򏟋 V, 󗙻 򘞟 󗙻 mΩ@󺺆 񄂹 𢺫 V, 򘞟 򏟋 Vgs(±V)； 󗙻 񄂹 𮧂 Vth(V) 封装：TO򘞟 𢺫 򘞟
FQD19N10LTM特性
暂无产品特性。
FQD19N10LTM应用领域
暂无应用领域。