FQD13N06LTM-VB
IC
TO-252
可供量大可议
FQD13N06LTM-VB
台积电流片， 长电科技封装； TO252； N—Channel沟道, 60V； 18A； RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=1~3V； 是一款单N沟道场效应管， 采用Trench工艺， 具有高性能和稳定的特性， 适用于多种应用场景例如电源开关模块、电动汽车充电器模块、工业控制系统模块、LED照明驱动器模块等领域。
品牌
VBsemi
封装
TO-252
库存
10
货期
现货
FQD13N06LTM-VB参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 10 |
FQD13N06LTM-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； TO252； N—Channel沟道, 60V； 18A； RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=1~3V； 是一款单N沟道场效应管， 采用Trench工艺， 具有高性能和稳定的特性， 适用于多种应用场景例如电源开关模块、电动汽车充电器模块、工业控制系统模块、LED照明驱动器模块等领域。
FQD13N06LTM-VB特性
暂无产品特性。
FQD13N06LTM-VB应用领域
暂无应用领域。