FQD13N06LTM(UMW)
IC
TO-252
可供量大可议
FQD13N06LTM(UMW)
特性：VDS(V)=60V。 ID = 5.5A(VGS = 10V)。 RDS(ON)<115mΩ(VGS=10V)。 RDS(ON)<145mΩ(VGS=5V)。 低栅极电荷（典型值4.8nC）。 低Crss（典型值17pF）。 可由逻辑驱动器直接操作。 低电平栅极驱动要求
品牌
UMW
封装
TO-252
库存
1,300
货期
现货
FQD13N06LTM(UMW)参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | UMW(友台半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1300 |
FQD13N06LTM(UMW)概述
特性：VDS(V)=60V。 ID = 5.5A(VGS = 10V)。 RDS(ON)<115mΩ(VGS=10V)。 RDS(ON)<145mΩ(VGS=5V)。 低栅极电荷（典型值4.8nC）。 低Crss（典型值17pF）。 可由逻辑驱动器直接操作。 低电平栅极驱动要求
FQD13N06LTM(UMW)特性
暂无产品特性。
FQD13N06LTM(UMW)应用领域
暂无应用领域。