FQD12N20TM-JSM
IC
TO-252
可供量大可议
FQD12N20TM-JSM
N沟道 耐压:200V 电流:9A 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):200V 连续漏极电流(Id):9A 功率(Pd):74W 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id):250mΩ@10V, 4.5A
品牌
JSMSEMI
封装
TO-252
库存
74
货期
现货
FQD12N20TM-JSM参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | JSMSEMI(杰盛微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 74 |
FQD12N20TM-JSM概述
N沟道 耐压:200V 电流:9A 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):200V 连续漏极电流(Id):9A 功率(Pd):74W 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id):250mΩ@10V, 4.5A
FQD12N20TM-JSM特性
暂无产品特性。
FQD12N20TM-JSM应用领域
暂无应用领域。