FQD10N65SE
IC
TO-252
可供量大可议
FQD10N65SE
N-Channel沟道, VDSS= 650V, ID=10A， RDS(on):0.9Ω (Max) @VG=10V
品牌
KTP
封装
TO-252
库存
500
货期
现货
FQD10N65SE参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | KTP(科泰普) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 500 |
FQD10N65SE概述
N-Channel沟道, VDSS= 650V, ID=10A， RDS(on):0.9Ω (Max) @VG=10V
FQD10N65SE特性
暂无产品特性。
FQD10N65SE应用领域
暂无应用领域。