FQD10N20TM-HXY

该N沟道场效应管额定漏极电流为9A， 漏源击穿电压达200V， 导通电阻为290mΩ， 栅源耐压30V。 器件适用于高压电源转换、照明驱动及电机控制电路中的开关环节。 其电压与电流参数支持中高功率场景下的电能切换， 低导通损耗特性有助于优化系统热管理， 满足各类电子设备对稳定运行与能效的具体需求。