FQD10N20TF-HXY

该N沟道场效应管漏源击穿电压达200V， 连续漏极电流9A， 导通电阻290mΩ， 栅源耐压30V。 其高压特性适用于适配器电源、LED驱动及通信设备供电模块中的开关环节。 器件在较高电压应力下保持工作稳定性， 适合中等功率密度的电路拓扑， 能够满足各类电子设备对高压侧功率控制的常规需求。