FQD10N20LTM-HXY

该N沟道场效应管最大漏极电流为9A， 漏源击穿电压达200V， 导通电阻典型值为290mΩ， 栅源耐压支持±30V。 器件凭借低导通损耗与高电压耐受特性， 适用于开关电源、电机驱动及电源转换模块等场景， 能够在高频率开关操作中保持稳定的电气性能， 满足各类电子设备对功率控制与效率优化的需求。