FQD10N20CTM_F080-HXY

该N沟道场效应管最大漏极电流为9A， 漏源击穿电压达200V， 导通电阻典型值为290mΩ， 栅源耐压支持±30V。 器件凭借低导通损耗与高电压耐受特性， 适用于各类开关电源拓扑、电机驱动电路及功率转换模块。 在高频开关场景中， 其参数组合有助于提升系统能效并简化散热设计， 满足多种电子设备对功率控制单元的严苛要求。