TO-252
FQD10N20CTM-VB
台积电流片， 长电封测。 一款单N沟道场效应晶体管， 具有򘞟 򏟋 򏟋 V的额定漏极-源极电压和󗙻 򏟋 A的漏极电流。 其性能特点使其适用于各种功率开关和驱动应用。 򘞟 򏟋 򏟋 V, 󗙻 򏟋 A, RDS(ON), 򘞟 󺺆 𢺫 mΩ@󗙻 򏟋 V, 򬓹 𮧂 򑵼 mΩ@󺺆 񄂹 𢺫 V, 򘞟 򏟋 Vgs(±V)； 򬓹 񄂹 򏟋 𮧂 Vth(V) 封装：TO򘞟 𢺫 򘞟
品牌
VBsemi
封装
TO-252
库存
50
货期
现货
FQD10N20CTM-VB参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi/微碧半导体 |
| 批次 | 25+ |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 50 |
| MOQ / SPQ | 5 / 1 |
FQD10N20CTM-VB概述
台积电流片， 长电封测。 一款单N沟道场效应晶体管， 具有򘞟 򏟋 򏟋 V的额定漏极-源极电压和󗙻 򏟋 A的漏极电流。 其性能特点使其适用于各种功率开关和驱动应用。 򘞟 򏟋 򏟋 V, 󗙻 򏟋 A, RDS(ON), 򘞟 󺺆 𢺫 mΩ@󗙻 򏟋 V, 򬓹 𮧂 򑵼 mΩ@󺺆 񄂹 𢺫 V, 򘞟 򏟋 Vgs(±V)； 򬓹 񄂹 򏟋 𮧂 Vth(V) 封装：TO򘞟 𢺫 򘞟
FQD10N20CTM-VB特性
暂无产品特性。
FQD10N20CTM-VB应用领域
暂无应用领域。