FQD10N20CTF-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
FQD10N20CTF-HXY
该N沟道场效应管额定漏极电流为9安培, 漏源击穿电压高达200伏特。 其导通电阻为290毫欧, 栅源电压耐受值达30伏特。 凭借较高的耐压能力与适中的导通特性, 该器件适用于高压直流电源转换、照明驱动电路及各类功率开关模块。 在需要承受较高电压应力的应用场景中, 它能提供稳定的电流控制能力, 协助实现高效的电能管理与信号切换功能。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
48
货期
现货
FQD10N20CTF-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 48 |
FQD10N20CTF-HXY概述
该N沟道场效应管额定漏极电流为9安培, 漏源击穿电压高达200伏特。 其导通电阻为290毫欧, 栅源电压耐受值达30伏特。 凭借较高的耐压能力与适中的导通特性, 该器件适用于高压直流电源转换、照明驱动电路及各类功率开关模块。 在需要承受较高电压应力的应用场景中, 它能提供稳定的电流控制能力, 协助实现高效的电能管理与信号切换功能。
FQD10N20CTF-HXY特性
暂无产品特性。
FQD10N20CTF-HXY应用领域
暂无应用领域。
