库存与价格 最近更新:2026年10月9日 00:34(北京时间)
WMiC电子元器件采购平台
热门搜索型号:
FQD10N20CTF-HXY
IC

TO-252-2L

可供量大可议

FQD10N20CTF-HXY

该N沟道场效应管额定漏极电流为9安培, 漏源击穿电压高达200伏特。 其导通电阻为290毫欧, 栅源电压耐受值达30伏特。 凭借较高的耐压能力与适中的导通特性, 该器件适用于高压直流电源转换、照明驱动电路及各类功率开关模块。 在需要承受较高电压应力的应用场景中, 它能提供稳定的电流控制能力, 协助实现高效的电能管理与信号切换功能。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-252-2L

库存

48

货期

现货

FQD10N20CTF-HXY参数

封装TO-252-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存48

FQD10N20CTF-HXY概述

该N沟道场效应管额定漏极电流为9安培, 漏源击穿电压高达200伏特。 其导通电阻为290毫欧, 栅源电压耐受值达30伏特。 凭借较高的耐压能力与适中的导通特性, 该器件适用于高压直流电源转换、照明驱动电路及各类功率开关模块。 在需要承受较高电压应力的应用场景中, 它能提供稳定的电流控制能力, 协助实现高效的电能管理与信号切换功能。

FQD10N20CTF-HXY特性

暂无产品特性。

FQD10N20CTF-HXY应用领域

暂无应用领域。

商务邮箱 / Email

sales@womaielec.com

点击发送邮件