FQB8P10-VB
IC
TO-263(D2PAK)
可供量大可议
FQB8P10-VB
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单路P型MOSFET， 采用了Trench技术， 适用于需要P型MOSFET的高功率和高性能电子模块中， 为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。 TO263； P—Channel沟道, -100V； -12A； RDS(ON)=220mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=-1~-3V
品牌
VBsemi
封装
TO-263(D2PAK)
库存
18
货期
现货
FQB8P10-VB参数
| 封装 | TO-263(D2PAK) |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 18 |
FQB8P10-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单路P型MOSFET， 采用了Trench技术， 适用于需要P型MOSFET的高功率和高性能电子模块中， 为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。 TO263； P—Channel沟道, -100V； -12A； RDS(ON)=220mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=-1~-3V
FQB8P10-VB特性
暂无产品特性。
FQB8P10-VB应用领域
暂无应用领域。