FQB8N90CTM

这些N-Channel增强模式功率场效应晶体管采用专有平面条纹DMOS技术生产。 此先进技术经特别设计， 可最大程度降低导通电阻， 提供卓越开关性能， 并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。 这些器件非常适合用于高效开关模式电源。