FQB4N80TM
IC
D2PAK(TO-263)
可供量大可议
FQB4N80TM
此 N 沟道增强型功率 MOSFET 是使用平面条纹和 DMOS 专属技术生产的。 此先进 MOSFET 技术特别适用于降低导通电阻， 提供出色的开关性能以及高雪崩能量强度。 此类器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正 (PFC) 和电子灯镇流器。
品牌
onsemi
封装
D2PAK(TO-263)
库存
758
货期
现货
FQB4N80TM参数
| 封装 | D2PAK(TO-263) |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 758 |
FQB4N80TM概述
此 N 沟道增强型功率 MOSFET 是使用平面条纹和 DMOS 专属技术生产的。 此先进 MOSFET 技术特别适用于降低导通电阻， 提供出色的开关性能以及高雪崩能量强度。 此类器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正 (PFC) 和电子灯镇流器。
FQB4N80TM特性
暂无产品特性。
FQB4N80TM应用领域
暂无应用领域。