FQB34N20L-VB
IC
D2PAK(TO-263)
可供量大可议
FQB34N20L-VB
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单N型的MOSFET， 采用Trench工艺， 适用于电源转换器、家用电器、工业控等领域。 TO263； N—Channel沟道, 200V； 40A； RDS(ON)=48mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=2~4V
品牌
VBsemi
封装
D2PAK(TO-263)
库存
50
货期
现货
FQB34N20L-VB参数
| 封装 | D2PAK(TO-263) |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 50 |
FQB34N20L-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单N型的MOSFET， 采用Trench工艺， 适用于电源转换器、家用电器、工业控等领域。 TO263； N—Channel沟道, 200V； 40A； RDS(ON)=48mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=2~4V
FQB34N20L-VB特性
暂无产品特性。
FQB34N20L-VB应用领域
暂无应用领域。