FQB19N20CTM

此N沟道增强型功率MOSFET采用专有平面条纹和DMOS技术制造。 这种先进的MOSFET技术经过特别设计， 可降低导通电阻， 并提供出色的开关性能和高雪崩能量强度。 这些器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正（PFC）和电子灯镇流器。