FQA70N10
IC
TO-3PN
可供量大可议
FQA70N10
此 N 沟道增强型功率 MOSFET 是使用平面条纹和 DMOS 专属技术生产的。 此先进 MOSFET 技术适用于降低导通电阻， 提供卓越的开关性能以及高雪崩能量强度。 此类器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。
品牌
onsemi
封装
TO-3PN
库存
29
货期
现货
FQA70N10参数
| 封装 | TO-3PN |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 29 |
FQA70N10概述
此 N 沟道增强型功率 MOSFET 是使用平面条纹和 DMOS 专属技术生产的。 此先进 MOSFET 技术适用于降低导通电阻， 提供卓越的开关性能以及高雪崩能量强度。 此类器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。
FQA70N10特性
暂无产品特性。
FQA70N10应用领域
暂无应用领域。