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FQA40N25-JSM
IC

TO-247

可供量大可议

FQA40N25-JSM

此 N 沟道增强型功率 MOSFET 是使用平面条纹和 DMOS 专属技术生产的。 此先进 MOSFET 技术适用于降低导通电阻, 提供卓越的开关性能以及高雪崩能量强度。 此类器件适用于开关模式电源、有源功率系数校正 (PFC) 和电子灯镇流器。

品牌

JSMSEMI

封装

TO-247

库存

57

货期

现货

FQA40N25-JSM参数

封装TO-247
品牌JSMSEMI(杰盛微)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存57

FQA40N25-JSM概述

此 N 沟道增强型功率 MOSFET 是使用平面条纹和 DMOS 专属技术生产的。 此先进 MOSFET 技术适用于降低导通电阻, 提供卓越的开关性能以及高雪崩能量强度。 此类器件适用于开关模式电源、有源功率系数校正 (PFC) 和电子灯镇流器。

FQA40N25-JSM特性

暂无产品特性。

FQA40N25-JSM应用领域

暂无应用领域。

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