FQA11N90-F109
IC
TO-3PN
可供量大可议
FQA11N90-F109
此N沟道增强型功率MOSFET采用专有的平面条纹和DMOS技术生产。 这种先进的MOSFET技术经过特别设计, 可降低导通电阻, 并提供卓越的开关性能和高雪崩能量强度。 这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正(PFC)和电子灯镇流器。
品牌
onsemi
封装
TO-3PN
库存
497
货期
现货
FQA11N90-F109参数
| 封装 | TO-3PN |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 497 |
FQA11N90-F109概述
此N沟道增强型功率MOSFET采用专有的平面条纹和DMOS技术生产。 这种先进的MOSFET技术经过特别设计, 可降低导通电阻, 并提供卓越的开关性能和高雪崩能量强度。 这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正(PFC)和电子灯镇流器。
FQA11N90-F109特性
暂无产品特性。
FQA11N90-F109应用领域
暂无应用领域。