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FP25R12W2T4
IC

插件, 62.8x56.7mm

可供量大可议

FP25R12W2T4

IGBT管/模块 FP25R12W2T4

品牌

Infineon

封装

插件, 62.8x56.7mm

库存

15

货期

现货

FP25R12W2T4参数

封装插件, 62.8x56.7mm
品牌Infineon(英飞凌)
批次26+
IGBT类型IGBT模块
集射极击穿电压(Vces)1.2kV
集射极饱和电压(VCE(sat))2.25V@25A, 15V
输入电容(Cies)1.45nF
开启延迟时间(Td(on))26ns
导通损耗(Eon)1.6mJ
工作温度-40℃~+150℃
分类IGBT管/模块
库存15
MOQ / SPQ1 / 1
耗散功率(Pd)175W
集电极电流(Ic)39A
栅极阈值电压(Vge(th))5.2V@0.8mA
反向传输电容(Cres)50pF
关断延迟时间(Td(off))190ns
关断损耗(Eoff)1.45mJ

FP25R12W2T4概述

IGBT管/模块 FP25R12W2T4

FP25R12W2T4特性

暂无产品特性。

FP25R12W2T4应用领域

暂无应用领域。

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