FP200R12N3T7
IC
插件, 122x62.5mm
可供量大可议
FP200R12N3T7
特性：电气特性。 VCES = 1200 V。 ICnom = 200 A / ICRM = 400 A。 沟槽栅 IGBT7。 过载操作达 175℃。 低 VCESat。 应用：辅助逆变器。 电机传动
品牌
Infineon
封装
插件, 122x62.5mm
库存
8
货期
现货
FP200R12N3T7参数
| 封装 | 插件, 122x62.5mm |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | IGBT管/模块 |
|---|---|
| 库存 | 8 |
FP200R12N3T7概述
特性：电气特性。 VCES = 1200 V。 ICnom = 200 A / ICRM = 400 A。 沟槽栅 IGBT7。 过载操作达 175℃。 低 VCESat。 应用：辅助逆变器。 电机传动
FP200R12N3T7特性
暂无产品特性。
FP200R12N3T7应用领域
暂无应用领域。