FP100R12N2T7
IC
插件, 107.5x45mm
可供量大可议
FP100R12N2T7
特性：电气特性: -VCES = 1200V。 ICnom = 100A / ICRM = 200A。 低 VCESat。 可在高达 175℃ 下进行过载操作。 采用 TRENCHSTOP IGBT7。 机械特性: -具有低热阻的 Al₂O₃ 基板。 应用：伺服驱动器。 辅助逆变器
品牌
Infineon
封装
插件, 107.5x45mm
库存
13
货期
现货
FP100R12N2T7参数
| 封装 | 插件, 107.5x45mm |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | IGBT管/模块 |
|---|---|
| 库存 | 13 |
FP100R12N2T7概述
特性：电气特性: -VCES = 1200V。 ICnom = 100A / ICRM = 200A。 低 VCESat。 可在高达 175℃ 下进行过载操作。 采用 TRENCHSTOP IGBT7。 机械特性: -具有低热阻的 Al₂O₃ 基板。 应用：伺服驱动器。 辅助逆变器
FP100R12N2T7特性
暂无产品特性。
FP100R12N2T7应用领域
暂无应用领域。