FODM8801AR2V
IC
SOIC-4-175mil
可供量大可议
FODM8801AR2V
OptoHiT 系列的FODM8801器件是第一款此类光电晶体管， 它采用飞兆半导体领先的专利工艺技术生产， 可实现高达125°C的工作温度特性。 光电耦合器是由与光电晶体管进行光耦合的铝砷化镓(AlGaAs)红外发光二极管组成， 它采用紧凑型的半间距、4引脚微型扁平封装。 它可以在极低的输入电流下提供高电流传输比。 输入输出隔离电压V
品牌
onsemi
封装
SOIC-4-175mil
库存
50
货期
现货
FODM8801AR2V参数
| 封装 | SOIC-4-175mil |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 正向压降(Vf) | 1.35V |
| 隔离电压(Vrms) | 3.75kV |
| 负载电压 | 75V |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 170mV@0.3mA, 1.6mA |
| 下降时间 | 5.5us |
| 电流传输比(CTR)最小值 | 80% |
| 商品名称 | DC输入 隔离电压(rms):3750V |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 晶体管输出光耦 |
| 分类 | 晶体管输出光耦 |
|---|---|
| 库存 | 50 |
| 输出类型 | 光电三极管 |
| 输出电流 | 30mA |
| 直流反向耐压(Vr) | 6V |
| 输出通道数 | 1 |
| 上升时间(tr) | 5us |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ |
| 电流传输比(CTR)最大值/饱和值 | 230% |
| 商品型号 | FODM8801AR2V |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.000218 |
FODM8801AR2V概述
在OptoHiT系列中， FODM8801是一款首创的光电晶体管， 采用前沿的专有工艺技术， 可实现高达125℃的高工作温度特性。 该光耦合器由一个铝镓砷（AlGaAs）红外发光二极管（LED）与一个光电晶体管光耦合而成， 采用紧凑的半间距、迷你扁平4引脚封装。 它在极低的输入电流下可实现高电流传输比。 输入 - 输出隔离电压VISO额定值为3750 VACRMS。
FODM8801AR2V特性
- 采用专有工艺技术实现高工作温度：高达125℃
- 在全温度范围内保证电流传输比（CTR）规格
- 高温下具有出色的CTR线性度
- 在极低输入电流IF下的CTR
- 由安全机构规定的高隔离电压：C
- UL / UL1577， 1分钟3750 VACRMS， 符合DIN EN/IEC60747
- 5
- 5标准
- 紧凑的半间距、迷你扁平4引脚封装（引脚间距1.27 mm， 最大离地高度2.4 mm）
- 爬电距离和电气间隙距离>5 mm
- 适用于245℃红外线回流焊
- 这些是无铅器件
FODM8801AR2V应用领域
- 主要适用于DC
- DC转换器
- 接地环路隔离、信号
- 噪声隔离
- 通信
- 适配器、充电器
- 消费类
- 家电、机顶盒
- 工业
- 电源、电机控制、可编程逻辑控制