FODM124R2
自营可供
IC
SOP-4-2.54mm
FODM124R2
晶体管输出光耦 DC 光电三极管 80mA 1.3V
品牌
ON
封装
SOP-4-2.54mm
交期
现货
批次
26+
FODM124R2参数
| 封装 | SOP-4-2.54mm |
|---|---|
| 品牌 | ON(安森美) |
| 批次 | 26+ |
| 输入类型 | DC |
| 正向压降(Vf) | 1.3V |
| 隔离电压(Vrms) | 3.75kV |
| 负载电压 | 80V |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 400mV@1mA, 0.5mA |
| 下降时间 | 3us |
| 电流传输比(CTR)最小值 | 100% |
| 总功耗(Pd) | 150mW |
| LED 驱动 | Vf ≈ 1.3V， 若采用 5V 驱动并希望 IF=1mA， 则限流电阻 R ≈ (5V−1.3V)/1mA ≈ 3.7kΩ（可选 3.9kΩ）。 若 IF 取较大值（接近额定上限）， 需注意功耗与 LED 寿命。 |
| CTR 考虑 | 设计时以 CTR 最小值为保证指标（例如 CTRmin = 100%）， 即在 IF=1mA 时最坏情况下 IC ≥1mA； 但在实际生产中 CTR 变化很大， 应留有裕量或使用恒流/反馈电路。 |
| 分类 | 晶体管输出光耦 |
|---|---|
| 库存 | 5,383 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 输出类型 | 光电三极管 |
| 输出电流 | 80mA |
| 直流反向耐压(Vr) | 6V |
| 输出通道数 | 1 |
| 上升时间(tr) | 3us |
| 工作温度 | -40℃~+110℃ |
| 电流传输比(CTR)最大值/饱和值 | 1200% |
| 正向电流(If) | 50mA |
| 输出侧 | 集电极耐压（负载电压）可达 80V； 在饱和工作点 VCE(sat)≤400mV（IF 与 IC 条件下保证）。 为保证饱和， 应根据最小 CTR 计算所需 IF， 或使用较小的集电极负载电阻。 |
| 响应性能 | tr ≈ 3µs、tf ≈ 3µs， 适合多数数字隔离和中低速信号； 不宜用于高频（MHz 级）信号隔离。 |
FODM124R2概述
晶体管输出光耦 DC 光电三极管 80mA 1.3V
FODM124R2特性
- 单通道光耦， SOP-4 封装， 节省 PCB 面积， 便于批量组装。
- LED 正向压降典型值 1.3V， 驱动简便。
- 输出最大集电极电流可达 80mA， 适合驱动较大电流需求的下游电路（需考虑封装与热限制）。
- 隔离耐压 3.75kVrms， 满足常见工业与电源隔离要求（实际应用请参照系统的安全规范）。
- 直流反向耐压 Vr = 6V， 可承受一定的反向偏压。
- 集-射极饱和电压 VCE(sat) ≤ 400mV（典型条件：IF=1mA、IC=0.5mA）， 在低电流下可实现较低饱和压降。
- 响应速度：上升/下降时间 tr, tf ≈ 3µs， 适合中低速数字隔离与开关应用。
- 电流传输比（CTR）范围宽：最小值 100%， 最大／饱和值可达 1200%（CTR 对驱动电流和温度敏感， 导致输出电流有较大变化）。
- 总功耗 Pd = 150mW
- 允许正向电流 If 最高 50mA（使用时请关注热耗散和封装限制）。
FODM124R2应用领域
- MCU 与大电位电路之间的逻辑隔离（低速数字信号隔离）。
- 工业控制接口、传感器信号隔离。
- 电源管理与开关电路的驱动隔离（驱动继电器驱动器或低功率 MOSFET 前端）。
- 需要高隔离电压的场合， 如电源、变频器的控制板隔离分区（需遵守系统安规）。