SOIC-16-300mil
FOD8332R2V
FOD8332 是一款 2.5 A 输出电流 IGBT 驱动光耦合器， 能够驱动额定值最高为 1,200 V 和 150 A 的中等功率 IGBT。 它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用的功率 IGBT 和 MOSFET 的快速开关驱动。 FOD8332 提供了防止导致 IGBT 破坏性散热的故障情况所需的重要保护特性。 该器件利用安森美半导体的专属共面 Optoplanar 封装技术和优化的集成电路设计， 可实现可靠的高隔离电压和高抗扰性， 具有高共模抑制和电源抑制规定特性。 该器件采用宽体 16 引脚小型塑料封装。 该门极驱动沟道包含一个与高速驱动集成电路进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)， 该集成电路带有低 RDS(ON) MOSFET 输出级。 故障感应沟道包括一个与集成的高速反馈电路进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)， 用于进行故障感应。
品牌
onsemi
封装
SOIC-16-300mil
库存
10
货期
现货
FOD8332R2V参数
| 封装 | SOIC-16-300mil |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 工作电压 | 3V~15V |
| CMTI(kV/us) | 50kV/us |
| 工作温度 | -40℃~+100℃ |
| 传播延迟 tpHL | 250ns |
| 输出电流 | 3A |
| 直流反向耐压(Vr) | 5V |
| 功能特性 | 欠压锁定； 开集电极输出 |
| 商品型号 | FOD8332R2V |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.001 |
| 分类 | 逻辑输出光耦 |
|---|---|
| 库存 | 10 |
| 输入类型 | DC |
| 隔离电压(Vrms) | 4.243kV |
| 通道数 | 1 |
| 传播延迟 tpLH | 250ns |
| 输入阈值电流(FH) | 7mA |
| 正向压降(Vf) | 1.45V |
| 正向电流(If) | 16mA |
| 商品名称 | 逻辑输入 1通道 隔离电压(rms):4243V |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 逻辑输出光耦 |
FOD8332R2V概述
FOD8332 是一款 2.5 A 输出电流 IGBT 驱动光耦合器， 能够驱动额定值最高为 1,200 V 和 150 A 的中等功率 IGBT。 它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用的功率 IGBT 和 MOSFET 的快速开关驱动。 FOD8332 提供了防止导致 IGBT 破坏性散热的故障情况所需的重要保护特性。 该器件利用安森美半导体的专属共面 Optoplanar 封装技术和优化的集成电路设计， 可实现可靠的高隔离电压和高抗扰性， 具有高共模抑制和电源抑制规定特性。 该器件采用宽体 16 引脚小型塑料封装。 该门极驱动沟道包含一个与高速驱动集成电路进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)， 该集成电路带有低 RDS(ON) MOSFET 输出级。 故障感应沟道包括一个与集成的高速反馈电路进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)， 用于进行故障感应。
FOD8332R2V特性
暂无产品特性。
FOD8332R2V应用领域
暂无应用领域。