SO-16-300mil
FOD8332
FOD8332 是一款 2.5 A 输出电流 IGBT 驱动光耦合器, 能够驱动额定值最高为 1,200 V 和 150 A 的中等功率 IGBT。 它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用的功率 IGBT 和 MOSFET 的快速开关驱动。 FOD8332 提供了防止导致 IGBT 破坏性散热的故障情况所需的重要保护特性。 该器件利用安森美半导体的专属共面 Optoplanar 封装技术和优化的集成电路设计, 可实现可靠的高隔离电压和高抗扰性, 具有高共模抑制和电源抑制规定特性。 该器件采用宽体 16 引脚小型塑料封装。 该门极驱动沟道包含一个与高速驱动集成电路进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED), 该集成电路带有低 RDS(ON) MOSFET 输出级。 故障感应沟道包括一个与集成的高速反馈电路进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED), 用于进行故障感应。
Brand
onsemi
Package
SO-16-300mil
Stock
1
货期
现货
FOD8332Parameters
| 封装 | SO-16-300mil |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 逻辑输出光耦 |
|---|---|
| 库存 | 1 |
FOD8332概述
FOD8332 是一款 2.5 A 输出电流 IGBT 驱动光耦合器, 能够驱动额定值最高为 1,200 V 和 150 A 的中等功率 IGBT。 它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用的功率 IGBT 和 MOSFET 的快速开关驱动。 FOD8332 提供了防止导致 IGBT 破坏性散热的故障情况所需的重要保护特性。 该器件利用安森美半导体的专属共面 Optoplanar 封装技术和优化的集成电路设计, 可实现可靠的高隔离电压和高抗扰性, 具有高共模抑制和电源抑制规定特性。 该器件采用宽体 16 引脚小型塑料封装。 该门极驱动沟道包含一个与高速驱动集成电路进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED), 该集成电路带有低 RDS(ON) MOSFET 输出级。 故障感应沟道包括一个与集成的高速反馈电路进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED), 用于进行故障感应。
FOD8332特性
暂无产品特性。
FOD8332应用领域
暂无应用领域。
