FOD819
IC
DIP-4
可供量大可议
FOD819
FOD819 在 4 引脚双列直插封装内包括一个砷化镓 (GaAs) 红外发光二极管, 驱动带有集成的基极发射电阻 RBE 的硅光电达林顿输出。 当绝缘数据信号传输中需要更高速度性能时, 它适用于以更高性能替代受欢迎的 FOD817 系列。
品牌
onsemi
封装
DIP-4
库存
4
货期
现货
FOD819参数
| 封装 | DIP-4 |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 晶体管输出光耦 |
|---|---|
| 库存 | 4 |
FOD819概述
FOD819 在 4 引脚双列直插封装内包括一个砷化镓 (GaAs) 红外发光二极管, 驱动带有集成的基极发射电阻 RBE 的硅光电达林顿输出。 当绝缘数据信号传输中需要更高速度性能时, 它适用于以更高性能替代受欢迎的 FOD817 系列。
FOD819特性
暂无产品特性。
FOD819应用领域
暂无应用领域。
