FOD3184(UMW)
IC
DIP-8
可供量大可议
FOD3184(UMW)
IGBT栅极驱动光耦， 采用铝镓砷发光二极管与CMOS探测器光耦合， 输出级使用P沟道MOSFET， 具有高抗噪性、快速开关速度、低动态功耗和欠压锁定保护
品牌
UMW
封装
DIP-8
库存
2,195
货期
现货
FOD3184(UMW)参数
| 封装 | DIP-8 |
|---|---|
| 品牌 | UMW(友台半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 栅极驱动光耦 |
|---|---|
| 库存 | 2195 |
FOD3184(UMW)概述
IGBT栅极驱动光耦， 采用铝镓砷发光二极管与CMOS探测器光耦合， 输出级使用P沟道MOSFET， 具有高抗噪性、快速开关速度、低动态功耗和欠压锁定保护
FOD3184(UMW)特性
暂无产品特性。
FOD3184(UMW)应用领域
暂无应用领域。