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FOD3125
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IC

DIP-8

FOD3125

FOD3125 是一款 2.5 A 输出电流门极驱动光耦合器, 能够在高达 125°C 温度条件下驱动中等功率 IGBT/MOSFET。 它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用的功率 IGBT 和 MOSFET 的快速开关驱动。 它利用安森美半导体的共面封装技术 Optoplanar 和优化的集成电路设计来实现高抗扰度, 具有高共模抑制规定特性。 它包含一个与集成电路进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管, 该集成电路带有用于推拉 MOSFET 输出级的高速驱动器。

品牌

onsemi

封装

DIP-8

交期

现货

批次

—

FOD3125参数

封装DIP-8
品牌onsemi(安森美)
MOQ / SPQ1 / 1
工作电压15V~30V
CMTI(kV/us)50kV/us
工作温度-40℃~+125℃
传播延迟 tpHL400ns
输出电流2.5A
直流反向耐压(Vr)5V
功能特性欠压锁定
商品型号FOD3125
单位个
商品重量0.0014125
分类逻辑输出光耦
库存24
输入类型DC
隔离电压(Vrms)5kV
通道数1
传播延迟 tpLH400ns
输入阈值电流(FH)5mA
正向压降(Vf)1.5V
正向电流(If)16mA
商品名称DC输入 1通道 隔离电压(rms):5000V
包装方式袋装
商品类型逻辑输出光耦

FOD3125概述

FOD3125 是一款 2.5 A 输出电流门极驱动光耦合器, 能够在高达 125°C 温度条件下驱动中等功率 IGBT/MOSFET。 它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用的功率 IGBT 和 MOSFET 的快速开关驱动。 它利用安森美半导体的共面封装技术 Optoplanar 和优化的集成电路设计来实现高抗扰度, 具有高共模抑制规定特性。 它包含一个与集成电路进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管, 该集成电路带有用于推拉 MOSFET 输出级的高速驱动器。

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