FOD073LR2
IC
SOIC-8
可供量大可议
FOD073LR2
FOD073L光耦合器包含与与高增益分离式达灵顿光电检测器光耦合的AlGaAs LED。 此器件指定在3.3V电压的条件下运行。 分离式达灵顿配置将输入光电二极管和第一级增益与输出晶体管分开, 相对于传统的达灵顿光电晶体管光耦合器, 可降低输出饱和电压, 提高运行速度。 集成的发射极-基极电阻提供一流的耐温稳定性。 0.5mA的极低输入电流和2000%的高电流传送率相结合, 使此器件特别适用于与MOS、CMOS、LSTTL和EIA RS232C的输入接口, 同时确保与LVCMOS的输出兼容以及满足高扇出LVTTL要求。 内部噪声屏蔽可提供10 kV/us的出色共模抑制性能。
品牌
onsemi
封装
SOIC-8
库存
1,921
货期
现货
FOD073LR2参数
| 封装 | SOIC-8 |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 逻辑输出光耦 |
|---|---|
| 库存 | 1921 |
FOD073LR2概述
FOD073L光耦合器包含与与高增益分离式达灵顿光电检测器光耦合的AlGaAs LED。 此器件指定在3.3V电压的条件下运行。 分离式达灵顿配置将输入光电二极管和第一级增益与输出晶体管分开, 相对于传统的达灵顿光电晶体管光耦合器, 可降低输出饱和电压, 提高运行速度。 集成的发射极-基极电阻提供一流的耐温稳定性。 0.5mA的极低输入电流和2000%的高电流传送率相结合, 使此器件特别适用于与MOS、CMOS、LSTTL和EIA RS232C的输入接口, 同时确保与LVCMOS的输出兼容以及满足高扇出LVTTL要求。 内部噪声屏蔽可提供10 kV/us的出色共模抑制性能。
FOD073LR2特性
暂无产品特性。
FOD073LR2应用领域
暂无应用领域。
