FOC-817D
IC
DIP-4
可供量大可议
FOC-817D
直插式 铜支架， 电流转换比(CTR: 50%-600% @IF=5mA, VCE=5V) 爬电距离>7.62mm 工作温度最高可达+ 110℃ 集电极-发射极击穿电压 BVCEO≥80V
品牌
国星光电
封装
DIP-4
库存
2,020
货期
现货
FOC-817D参数
| 封装 | DIP-4 |
|---|---|
| 品牌 | 国星光电 |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 晶体管输出光耦 |
|---|---|
| 库存 | 2020 |
FOC-817D概述
直插式 铜支架， 电流转换比(CTR: 50%-600% @IF=5mA, VCE=5V) 爬电距离>7.62mm 工作温度最高可达+ 110℃ 集电极-发射极击穿电压 BVCEO≥80V
FOC-817D特性
暂无产品特性。
FOC-817D应用领域
暂无应用领域。