库存与价格 最近更新:2026年10月9日 00:34(北京时间)
WMiC电子元器件采购平台
热门搜索型号:
FMXA-1106S-HXY
IC

TO-220F-2L

可供量大可议

FMXA-1106S-HXY

该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为10A, 最大反向重复峰值电压(VR)达650V, 正向压降(VF)典型值为1.37V, 在浪涌条件下可承受高达80A的非重复峰值正向电流(IFSM)。 其基于碳化硅材料特性, 具备较低导通损耗与优异的高频开关性能, 适用于对效率和热管理要求较高的电源转换场景。 器件结构设计支持稳定运行于高电压、大电流的工作环境, 同时有助于简化散热方案与提升系统整体能效。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220F-2L

库存

24

货期

现货

FMXA-1106S-HXY参数

封装TO-220F-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存24

FMXA-1106S-HXY概述

该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为10A, 最大反向重复峰值电压(VR)达650V, 正向压降(VF)典型值为1.37V, 在浪涌条件下可承受高达80A的非重复峰值正向电流(IFSM)。 其基于碳化硅材料特性, 具备较低导通损耗与优异的高频开关性能, 适用于对效率和热管理要求较高的电源转换场景。 器件结构设计支持稳定运行于高电压、大电流的工作环境, 同时有助于简化散热方案与提升系统整体能效。

FMXA-1106S-HXY特性

暂无产品特性。

FMXA-1106S-HXY应用领域

暂无应用领域。

商务邮箱 / Email

sales@womaielec.com

点击发送邮件