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FMX-G26S-HXY
IC

TO-220F-2L

可供量大可议

FMX-G26S-HXY

该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为10A, 最大反向电压(VR)为650V, 典型正向压降(VF)为1.37V, 非重复峰值正向浪涌电流(IFSM)可达80A。 器件利用碳化硅材料的物理特性, 在高频工作条件下保持较低的导通损耗和快速的反向恢复响应, 适用于高效率、高功率密度的电源转换系统, 如服务器电源、通信电源及可再生能源相关的电力变换装置。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220F-2L

库存

24

货期

现货

FMX-G26S-HXY参数

封装TO-220F-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存24

FMX-G26S-HXY概述

该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为10A, 最大反向电压(VR)为650V, 典型正向压降(VF)为1.37V, 非重复峰值正向浪涌电流(IFSM)可达80A。 器件利用碳化硅材料的物理特性, 在高频工作条件下保持较低的导通损耗和快速的反向恢复响应, 适用于高效率、高功率密度的电源转换系统, 如服务器电源、通信电源及可再生能源相关的电力变换装置。

FMX-G26S-HXY特性

暂无产品特性。

FMX-G26S-HXY应用领域

暂无应用领域。

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