FMX-G26S-HXY
IC
TO-220F-2L
可供量大可议
FMX-G26S-HXY
该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为10A, 最大反向电压(VR)为650V, 典型正向压降(VF)为1.37V, 非重复峰值正向浪涌电流(IFSM)可达80A。 器件利用碳化硅材料的物理特性, 在高频工作条件下保持较低的导通损耗和快速的反向恢复响应, 适用于高效率、高功率密度的电源转换系统, 如服务器电源、通信电源及可再生能源相关的电力变换装置。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220F-2L
库存
24
货期
现货
FMX-G26S-HXY参数
| 封装 | TO-220F-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 24 |
FMX-G26S-HXY概述
该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为10A, 最大反向电压(VR)为650V, 典型正向压降(VF)为1.37V, 非重复峰值正向浪涌电流(IFSM)可达80A。 器件利用碳化硅材料的物理特性, 在高频工作条件下保持较低的导通损耗和快速的反向恢复响应, 适用于高效率、高功率密度的电源转换系统, 如服务器电源、通信电源及可再生能源相关的电力变换装置。
FMX-G26S-HXY特性
暂无产品特性。
FMX-G26S-HXY应用领域
暂无应用领域。
