FMNS-1106S-HXY
IC
TO-220F-2L
可供量大可议
FMNS-1106S-HXY
该碳化硅二极管为独立式配置, 具有10A的额定正向电流(IF)和650V的最大反向重复峰值电压(VR), 其典型正向压降(VF)为1.37V, 在非重复条件下可承受高达80A的浪涌正向电流(IFSM)。 器件利用碳化硅材料的高热导率与低开关损耗特性, 适用于高频开关电源、功率因数校正电路及对效率和热性能有较高要求的电能转换系统。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220F-2L
库存
16
货期
现货
FMNS-1106S-HXY参数
| 封装 | TO-220F-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 16 |
FMNS-1106S-HXY概述
该碳化硅二极管为独立式配置, 具有10A的额定正向电流(IF)和650V的最大反向重复峰值电压(VR), 其典型正向压降(VF)为1.37V, 在非重复条件下可承受高达80A的浪涌正向电流(IFSM)。 器件利用碳化硅材料的高热导率与低开关损耗特性, 适用于高频开关电源、功率因数校正电路及对效率和热性能有较高要求的电能转换系统。
FMNS-1106S-HXY特性
暂无产品特性。
FMNS-1106S-HXY应用领域
暂无应用领域。
