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FMNS-1106S-HXY
IC

TO-220F-2L

可供量大可议

FMNS-1106S-HXY

该碳化硅二极管为独立式配置, 具有10A的额定正向电流(IF)和650V的最大反向重复峰值电压(VR), 其典型正向压降(VF)为1.37V, 在非重复条件下可承受高达80A的浪涌正向电流(IFSM)。 器件利用碳化硅材料的高热导率与低开关损耗特性, 适用于高频开关电源、功率因数校正电路及对效率和热性能有较高要求的电能转换系统。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220F-2L

库存

16

货期

现货

FMNS-1106S-HXY参数

封装TO-220F-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存16

FMNS-1106S-HXY概述

该碳化硅二极管为独立式配置, 具有10A的额定正向电流(IF)和650V的最大反向重复峰值电压(VR), 其典型正向压降(VF)为1.37V, 在非重复条件下可承受高达80A的浪涌正向电流(IFSM)。 器件利用碳化硅材料的高热导率与低开关损耗特性, 适用于高频开关电源、功率因数校正电路及对效率和热性能有较高要求的电能转换系统。

FMNS-1106S-HXY特性

暂无产品特性。

FMNS-1106S-HXY应用领域

暂无应用领域。

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