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FMMT619TA-HXY
IC

SOT-23

可供量大可议

FMMT619TA-HXY

此款NPN三极管(BJT)专为高效能电路设计, 具备2A的集电极电流(IC)能力, 确保在高负载条件下稳定运行。 其集电极-发射极电压(VCEO)高达50V, 适用于广泛的操作电压环境。 该三极管拥有200的直流电流增益(HFE), 能够显著提升信号放大效果, 而其转换频率(FT)达到100MHz, 保证了高速响应和处理能力。 这些特性使得它非常适合应用于需要精确信号放大与快速开关操作的电子设备中。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOT-23

库存

50

货期

现货

FMMT619TA-HXY参数

封装SOT-23
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类三极管(BJT)
库存50

FMMT619TA-HXY概述

此款NPN三极管(BJT)专为高效能电路设计, 具备2A的集电极电流(IC)能力, 确保在高负载条件下稳定运行。 其集电极-发射极电压(VCEO)高达50V, 适用于广泛的操作电压环境。 该三极管拥有200的直流电流增益(HFE), 能够显著提升信号放大效果, 而其转换频率(FT)达到100MHz, 保证了高速响应和处理能力。 这些特性使得它非常适合应用于需要精确信号放大与快速开关操作的电子设备中。

FMMT619TA-HXY特性

暂无产品特性。

FMMT619TA-HXY应用领域

暂无应用领域。

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