FMMT619TA-HXY
IC
SOT-23
可供量大可议
FMMT619TA-HXY
此款NPN三极管(BJT)专为高效能电路设计, 具备2A的集电极电流(IC)能力, 确保在高负载条件下稳定运行。 其集电极-发射极电压(VCEO)高达50V, 适用于广泛的操作电压环境。 该三极管拥有200的直流电流增益(HFE), 能够显著提升信号放大效果, 而其转换频率(FT)达到100MHz, 保证了高速响应和处理能力。 这些特性使得它非常适合应用于需要精确信号放大与快速开关操作的电子设备中。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOT-23
库存
50
货期
现货
FMMT619TA-HXY参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 三极管(BJT) |
|---|---|
| 库存 | 50 |
FMMT619TA-HXY概述
此款NPN三极管(BJT)专为高效能电路设计, 具备2A的集电极电流(IC)能力, 确保在高负载条件下稳定运行。 其集电极-发射极电压(VCEO)高达50V, 适用于广泛的操作电压环境。 该三极管拥有200的直流电流增益(HFE), 能够显著提升信号放大效果, 而其转换频率(FT)达到100MHz, 保证了高速响应和处理能力。 这些特性使得它非常适合应用于需要精确信号放大与快速开关操作的电子设备中。
FMMT619TA-HXY特性
暂无产品特性。
FMMT619TA-HXY应用领域
暂无应用领域。
