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FMMT495TA-HXY
IC

SOT-23

可供量大可议

FMMT495TA-HXY

此款NPN三极管(BJT)专为高效能电路设计, 具备1A的集电极电流(IC)承载能力, 确保在高负载条件下稳定运行。 其集电极-发射极电压(VCEO)高达150V, 适用于广泛的操作环境而不受电源波动影响。 直流电流增益(HFE)在100至300之间, 提供出色的信号放大性能。 过渡频率(FT)为100MHz, 保证了高频应用中的卓越表现。 该三极管是构建于需要精确信号放大与快速响应电路的理想选择, 非常适合应用于无线通信设备等场景中。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOT-23

库存

435

货期

现货

FMMT495TA-HXY参数

封装SOT-23
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类三极管(BJT)
库存435

FMMT495TA-HXY概述

此款NPN三极管(BJT)专为高效能电路设计, 具备1A的集电极电流(IC)承载能力, 确保在高负载条件下稳定运行。 其集电极-发射极电压(VCEO)高达150V, 适用于广泛的操作环境而不受电源波动影响。 直流电流增益(HFE)在100至300之间, 提供出色的信号放大性能。 过渡频率(FT)为100MHz, 保证了高频应用中的卓越表现。 该三极管是构建于需要精确信号放大与快速响应电路的理想选择, 非常适合应用于无线通信设备等场景中。

FMMT495TA-HXY特性

暂无产品特性。

FMMT495TA-HXY应用领域

暂无应用领域。

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