FMMT495QTA
IC
SOT-23
可供量大可议
FMMT495QTA
特性：BVCEO > 150V。 IC = 1A 连续集电极电流。 ICM = 2A 峰值脉冲电流。 500mW 功率耗散。 hFE 特性高达 1A， 可保持高电流增益。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑， “绿色”器件。 符合 AEC-Q101 标准， 可靠性高。 具备生产件批准程序（PPAP）能力
品牌
DIODES
封装
SOT-23
库存
25
货期
现货
FMMT495QTA参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | DIODES(美台) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 三极管(BJT) |
|---|---|
| 库存 | 25 |
FMMT495QTA概述
特性：BVCEO > 150V。 IC = 1A 连续集电极电流。 ICM = 2A 峰值脉冲电流。 500mW 功率耗散。 hFE 特性高达 1A， 可保持高电流增益。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑， “绿色”器件。 符合 AEC-Q101 标准， 可靠性高。 具备生产件批准程序（PPAP）能力
FMMT495QTA特性
暂无产品特性。
FMMT495QTA应用领域
暂无应用领域。