FMMT494QTA
IC
TO-236-3
可供量大可议
FMMT494QTA
特性：BVCEO > 120V。 Ic = 1A 连续集电极电流。 IcM = 2A 峰值脉冲电流。 500mW 功率耗散。 hFE 特性高达 1A， 用于高电流增益保持。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑， “绿色”器件。 符合 AEC-Q101 标准， 可靠性高。 具备 PPAP 能力
品牌
DIODES
封装
TO-236-3
库存
170
货期
现货
FMMT494QTA参数
| 封装 | TO-236-3 |
|---|---|
| 品牌 | DIODES(美台) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 三极管(BJT) |
|---|---|
| 库存 | 170 |
FMMT494QTA概述
特性：BVCEO > 120V。 Ic = 1A 连续集电极电流。 IcM = 2A 峰值脉冲电流。 500mW 功率耗散。 hFE 特性高达 1A， 用于高电流增益保持。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑， “绿色”器件。 符合 AEC-Q101 标准， 可靠性高。 具备 PPAP 能力
FMMT494QTA特性
暂无产品特性。
FMMT494QTA应用领域
暂无应用领域。