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FMMT416TD-HXY
IC

SOT-23

可供量大可议

FMMT416TD-HXY

此款NPN型三极管(BJT)专为高效能应用设计, 具备1A的集电极电流(IC)能力, 确保在高负载条件下稳定运行。 其集电极-发射极击穿电压(VCEO)高达100V, 提供卓越的耐压性能。 直流电流增益(HFE)范围在100至300之间, 保证了信号放大时的高效率与稳定性。 此外, 该三极管的过渡频率(FT)达到150MHz, 使其在高频应用中表现出色。 适用于需要精确信号放大和处理的电子设备中, 如通信装置和消费电子产品等。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOT-23

库存

277

货期

现货

FMMT416TD-HXY参数

封装SOT-23
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类三极管(BJT)
库存277

FMMT416TD-HXY概述

此款NPN型三极管(BJT)专为高效能应用设计, 具备1A的集电极电流(IC)能力, 确保在高负载条件下稳定运行。 其集电极-发射极击穿电压(VCEO)高达100V, 提供卓越的耐压性能。 直流电流增益(HFE)范围在100至300之间, 保证了信号放大时的高效率与稳定性。 此外, 该三极管的过渡频率(FT)达到150MHz, 使其在高频应用中表现出色。 适用于需要精确信号放大和处理的电子设备中, 如通信装置和消费电子产品等。

FMMT416TD-HXY特性

暂无产品特性。

FMMT416TD-HXY应用领域

暂无应用领域。

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