FMMT416TD-HXY
IC
SOT-23
可供量大可议
FMMT416TD-HXY
此款NPN型三极管(BJT)专为高效能应用设计, 具备1A的集电极电流(IC)能力, 确保在高负载条件下稳定运行。 其集电极-发射极击穿电压(VCEO)高达100V, 提供卓越的耐压性能。 直流电流增益(HFE)范围在100至300之间, 保证了信号放大时的高效率与稳定性。 此外, 该三极管的过渡频率(FT)达到150MHz, 使其在高频应用中表现出色。 适用于需要精确信号放大和处理的电子设备中, 如通信装置和消费电子产品等。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOT-23
库存
277
货期
现货
FMMT416TD-HXY参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 三极管(BJT) |
|---|---|
| 库存 | 277 |
FMMT416TD-HXY概述
此款NPN型三极管(BJT)专为高效能应用设计, 具备1A的集电极电流(IC)能力, 确保在高负载条件下稳定运行。 其集电极-发射极击穿电压(VCEO)高达100V, 提供卓越的耐压性能。 直流电流增益(HFE)范围在100至300之间, 保证了信号放大时的高效率与稳定性。 此外, 该三极管的过渡频率(FT)达到150MHz, 使其在高频应用中表现出色。 适用于需要精确信号放大和处理的电子设备中, 如通信装置和消费电子产品等。
FMMT416TD-HXY特性
暂无产品特性。
FMMT416TD-HXY应用领域
暂无应用领域。
