FMD5N50E5
IC
TO-252
可供量大可议
FMD5N50E5
FMD5N50E5， 硅N沟道增强型VDMOSFET， 通过自对准平面技术获得， 可降低传导损耗， 提高开关性能并增强雪崩能量。 该晶体管可用于各种功率开关电路， 以实现系统小型化和更高效率。 封装形式为TO-252， 符合RoHS标准。
品牌
Fortior Tech
封装
TO-252
库存
2,820
货期
现货
FMD5N50E5参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | Fortior Tech(峰岹) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2820 |
FMD5N50E5概述
FMD5N50E5， 硅N沟道增强型VDMOSFET， 通过自对准平面技术获得， 可降低传导损耗， 提高开关性能并增强雪崩能量。 该晶体管可用于各种功率开关电路， 以实现系统小型化和更高效率。 封装形式为TO-252， 符合RoHS标准。
FMD5N50E5特性
暂无产品特性。
FMD5N50E5应用领域
暂无应用领域。